Profilomètre pour la mesure de contrainte
FLX 2320 S
1. Pour l'industrie
2. Production en série
3. Mesure de contrainte de couches minces
4. Température de -65°C à 500°C
5. Rapide
Profilomètrie Optique
Spécifications
| Magnification | x20 ~ x150,000 (Effective :~ x80,000) |
|---|---|
| Accelerating Voltage | 1kV to 30kV |
| Electron Gun | Tungsten Filament(w) |
| Detector | SE Detector, BSE Detector, EDS |
| Stage |
X: 35mm (Motorized)，Y: 35mm (Motorized) T: 0 to 45° (Motorized)，R: 360° ，Z: 5 to 50mm(Manual) |
| Maximum Sample Size | 45mm (H)，60mm (Diameter) |
| Image Mode(pixel) |
· RDE (320x240), TV (640x480), Slow (800x600) · Photo (1280x960, 2560x1920, 5120x3840) |
| Frame Rate |
· RDE (MAX. 30 frames/sec) · TV (MAX. 10 frames/sec) · Slow (MAX. 2 frames/sec) |
| Vacuum System | Turbo Molecular Pump (Less than 3min) |
| Auto Functions | Auto Focus, Contrast, Brightness, |
| OS | · Windows7 |
EDS
| System Resolution | Mn K 133eV standard 129 eV premium |
|---|---|
| Chip Size | 30 mm² |
| Window | Si3N4 <100 nm thick |
| Cooling System | Peltier |
| Detection Range | Be to Am |
| X-ray Input | 1 Mcps/channel |
| Throughput (Stored Counts) | 300 kcps/channel |
| Peak To Background | 10,000 : 1 |
| Resolution Stability | 90% up to 200 kcps |
| eV/Channel | 10 eV/ch |
| Power Requirements |
· 5 W max - detector only · 10 W max - with DPP box |
| Input Voltage |
· 100 - 240 VAC. · 47 - 63 Hz |
Applications en mesure de contrainte
En général, une contrainte est induite lorsque des matériaux de coefficients de dilatation thermique différents sont liés les uns aux autres. Les films peuvent se comporter de la même manière à des températures élevées, mais à mesure que les films sont refroidis, les matériaux peuvent se contracter / se dilater différemment, provoquant ainsi une contrainte sur le film. Avec un film sous contrainte, des défauts tels que décollements, vides et fissures peuvent se produire. Le système de mesure du stress FLX facilite le dépannage des applications énumérées ci-dessous:
- Vidage induit par le stress de l'aluminium
- Fissuration par passivation (oxyde de nitrure)
- Dislocations induites par le stress dans la fissuration du siliciure de tungstène Si
- Augmentation de la contrainte des oxydes lors du cyclage en température
Plus d'info sur les applications
- Science de surface
- Science des matériaux
- Cellules solaires
- Matériaux pour l'énergie
- Semi-conducteurs
- Polymères et Composites
- Rugosité de surface
- Revêtements
Applications sur la microscopie
Électronique à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
La profilométrie optique pour la mesure de stress
Avec les modèles de cyclage thermique et de rotation automatique ambiante disponibles, Les systèmes de mesure de contrainte de couche mince Toho FLX offrent des capacités standard pour les installations de production de masse et de recherche qui exigent des mesures de contrainte précises sur divers films et substrats. Intégrant la technologie brevetée «Dual Wavelength» brevetée par KLA-Tencor, les outils de la série Toho FLX déterminent et analysent avec précision les contraintes de surface générées par les films minces déposés. Les mesures de contrainte in situ peuvent être effectuées de -65 ° C à 500 ° C à des vitesses de chauffage allant jusqu'à 30 ° C par minute (l'unité de refroidissement à -65 ° C est facultative). Une compréhension des variations de contrainte en fonction de la température est essentielle pour caractériser les propriétés du matériau telles que la relaxation de contrainte, l'évolution de l'humidité et les changements de phase.
Analyse complète des données
Le logiciel d'analyse intuitif basé sur Windows 7 affiche toute combinaison de mesures de contrainte, de temps, de déviation de surface ou d'intensité de la lumière réfléchie.
- Calcul du module d'élasticité biaxial, du coefficient de dilatation linéaire, de l'uniformité des contraintes et de la soustraction de fichiers
- Tracé de la tendance pour le contrôle statistique du processus (SPC)
- Calcul du coefficient de diffusion de l'eau dans les films diélectriques
- Recalcul automatique des contraintes lorsque l'épaisseur du film ou du substrat est corrigée
- Vues 2D et 3D de la topographie de plaquettes
- Tracé de la courbe contrainte-température mesurée Technologie laser de pointe
AVANTAGES
- Pour l'industrie
- Production en série
- Mesure de contrainte de couches minces
- Température de -65°C à 500°C
- Rapide
La série FLX comprend la technologie brevetée à double longueur d'onde brevetée de KLA, qui permet au système de sélectionner la longueur d'onde la mieux adaptée aux films difficiles comme nitrure de silicium. Un seul élément mobile dans le composant optique garantit de faibles vibrations et une grande précision.
Les systèmes de mesure du stress FLX utilisent la technique du levier laser pour mesurer les changements de rayons de surface avant et après le déplacement, puis corréler ces mesures en une valeur de contrainte
Les mesures de température sont essentielles pour caractériser les propriétés des matériaux, telles que la relaxation des contraintes, l’évolution de l’humidité et les changements de phase. Spécialement conçu pour les applications de contrainte thermique, le 2320-S est idéal pour les corrélations de température de contrainte. Capable de mesurer les contraintes in situ de -65°C à 500°C avec des vitesses de chauffage allant jusqu'à 30 ° C par minute. L'unité de refroidissement qui utilise LN2 à -65 ° C est optionnelle.
Microscope MEB de table,
Solution complète MEB-EDS avancée
1. MEB-EDS tout en un
2. Interface utilisateur intuitive
3. Fonctions automatiques
- Support échantillon motorisé 3 axes (X, Y, T)
- Mise au point automatique, contraste,
luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
AVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
AVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
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luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
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7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
AVANTAGES
- MEB haute résolution
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jusqu’à x 150 000
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AVANTAGES
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5. Grossissement de x20 à x150 000
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7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
AVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
AVANTAGES
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7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
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AVANTAGES
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jusqu’à x 150 000
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AVANTAGES
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3. Fonctions automatiques
- Support échantillon motorisé 3 axes (X, Y, T)
- Mise au point automatique, contraste,
luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
AVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
AVANTAGES
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- Facile d'utilisation
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2. Interface utilisateur intuitive
3. Fonctions automatiques
- Support échantillon motorisé selon 3 axes (X, Y, T)
- Mise au point automatique, contraste, luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
Applications
sur la microscopie
Électronique
à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
Les applications comprennent aussi bien le processus de défaut, l’analyse dimensionnelle, le processus de caractérisation, la rétro ingénierie que l’identification de particule... c’est pourquoi les domaines d’applications sont multiples et très larges :
APPLICATIONS 1
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
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jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
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Applications
sur la microscopie
Électronique
à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
Les applications comprennent aussi bien le processus de défaut, l’analyse dimensionnelle, le processus de caractérisation, la rétro ingénierie que l’identification de particule... c’est pourquoi les domaines d’applications sont multiples et très larges :
APPLICATIONS 1
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
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Microscope MEB de table,
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Solution complète MEB-EDS avancée
Spécifications
Tête XP
Le système Nano Indenter G200 est alimenté par un transducteur électromagnétique pour assurer des mesures précises. La conception unique du transducteur évite les artefacts de déplacement latéral. La tête d'indentation XP standard est équipée d'une capacité de chargement de 500 mN, offrant une résolution de déplacement <0,01 nm (10 h) et une profondeur d'indentation maximale de 500 μm.
Performance
| Scan Range | |
|---|---|
| Measurement Range | 1 to 4,000MPa1 |
| Repeatability | 1.3MPa2 |
| Accuracy | Less than 2.5% or 1 MPa (whichever is larger) |
| Minimim Radius | 2.0m |
| Maximum Radius | 33km |
| Wafer Sizes (mm) | 25, 50, 75, 100, 150, 200mm |
| Minimum Scan Step | 0.02mm |
| Compliance | Class IIIa 670nm / 780nm 4mW lasers compliant with 21CFR, Chapter 1 Subchapter J |
Notes:
1 :725μm wafer thickness for 10,000Å thin film
2 :(1s): 1 x l07 dyne/cm2
Options
- 3D Analysis Software
- Calibration Mirror Standards
- Calibration Wafer Standards
- Sub Ambient (-65°C) capability
- Substrate Adaptor Rings 25mm to 150mm
- Gas Panel with all flow meters and pressure gauges
- Offline Software
Accessoires
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Spécifications
| Magnification | x20 ~ x150,000 (Effective :~ x80,000) |
|---|---|
| Accelerating Voltage | 1kV to 30kV |
| Electron Gun | Tungsten Filament(w) |
| Detector | SE Detector, BSE Detector, EDS |
| Stage |
X: 35mm (Motorized)，Y: 35mm (Motorized) T: 0 to 45° (Motorized)，R: 360° ，Z: 5 to 50mm(Manual) |
| Maximum Sample Size | 45mm (H)，60mm (Diameter) |
| Image Mode(pixel) |
· RDE (320x240), TV (640x480), Slow (800x600) · Photo (1280x960, 2560x1920, 5120x3840) |
| Frame Rate |
· RDE (MAX. 30 frames/sec) · TV (MAX. 10 frames/sec) · Slow (MAX. 2 frames/sec) |
| Vacuum System | Turbo Molecular Pump (Less than 3min) |
| Auto Functions | Auto Focus, Contrast, Brightness, |
| OS | · Windows7 |
EDS
| System Resolution | Mn K 133eV standard 129 eV premium |
|---|---|
| Chip Size | 30 mm² |
| Window | Si3N4 <100 nm thick |
| Cooling System | Peltier |
| Detection Range | Be to Am |
| X-ray Input | 1 Mcps/channel |
| Throughput (Stored Counts) | 300 kcps/channel |
| Peak To Background | 10,000 : 1 |
| Resolution Stability | 90% up to 200 kcps |
| eV/Channel | 10 eV/ch |
| Power Requirements |
· 5 W max - detector only · 10 W max - with DPP box |
| Input Voltage |
· 100 - 240 VAC. · 47 - 63 Hz |
Applications sur la microscopie
Électronique à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
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_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
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_ Microbiologie
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Microscope MEB de table, Solution complète MEB-EDS avancée
1. MEB-EDS tout en un
2. Interface utilisateur intuitive
3. Fonctions automatiques
- Support échantillon motorisé 3 axes (X, Y, T)
- Mise au point automatique, contraste,
luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
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AVANTAGES
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Applications
sur la microscopie
Électronique
à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
Les applications comprennent aussi bien le processus de défaut, l’analyse dimensionnelle, le processus de caractérisation, la rétro ingénierie que l’identification de particule... c’est pourquoi les domaines d’applications sont multiples et très larges :
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- MEB haute résolution
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Électronique
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_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
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Cross polisher Option MEB
Cross polisher Option MEB
Cross polisher Option MEB
Specifications
| Name 1 | |
|---|---|
| Mr. John Doe | Software Developer |
Specifications
| Name 1 | |
|---|---|
| Mr. John Doe | Software Developer |
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